MOSFET 的體效應(yīng)（body-effect，也叫襯底調(diào)制效應(yīng)/襯偏效應(yīng)），主要是來源于 M...MOSFET 的體效應(yīng)（body-effect，也叫襯底調(diào)制效應(yīng)/襯偏效應(yīng)），主要是來源于 MOS 管的 S-B（Source-Bulk）端之間的偏壓對(duì) MOSFET 閾值電壓 vth 的影響
通過調(diào)節(jié)門極驅(qū)動(dòng)電阻和電容的大小可以來調(diào)整 MOSFET 的開通/關(guān)斷速度：增大門...通過調(diào)節(jié)門極驅(qū)動(dòng)電阻和電容的大小可以來調(diào)整 MOSFET 的開通/關(guān)斷速度：增大門極驅(qū)動(dòng)電阻和電容來減慢MOSFET開通/關(guān)斷的速度，減小 dv/dt (di/dt) 從而減小門極電...
高壓MOS管（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）的核心是其特...高壓MOS管（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）的核心是其特殊的MOS結(jié)構(gòu)，包括源極、漏極和柵極，以及它們之間的電壓控制關(guān)系。
絕對(duì)值電路可以將輸入的帶有正負(fù)號(hào)的數(shù)值轉(zhuǎn)換為其絕對(duì)值。這是通過對(duì)輸入信號(hào)進(jìn)...絕對(duì)值電路可以將輸入的帶有正負(fù)號(hào)的數(shù)值轉(zhuǎn)換為其絕對(duì)值。這是通過對(duì)輸入信號(hào)進(jìn)行比較和選擇來實(shí)現(xiàn)的。如果輸入信號(hào)是正的，則輸出與輸入相同；如果輸入信號(hào)是負(fù)的...
亞閾值斜率S也稱亞閾值擺幅，其定義為亞閾值區(qū)漏端電流增加一個(gè)數(shù)量級(jí)所需要增...亞閾值斜率S也稱亞閾值擺幅，其定義為亞閾值區(qū)漏端電流增加一個(gè)數(shù)量級(jí)所需要增大的柵電壓，反映了電流從關(guān)態(tài)到開態(tài)的轉(zhuǎn)換陡直度，具體對(duì)應(yīng)于采用半對(duì)數(shù)坐標(biāo)的器件...
