當(dāng)pn結(jié)反向偏置時，耗盡層延伸穿過pn結(jié)。電場造成耗盡層內(nèi)p型區(qū)價帶與n型區(qū)導(dǎo)帶...當(dāng)pn結(jié)反向偏置時，耗盡層延伸穿過pn結(jié)。電場造成耗盡層內(nèi)p型區(qū)價帶與n型區(qū)導(dǎo)帶之間的間隙減小。因此，由于量子隧穿效應(yīng)，電子從p型區(qū)價帶隧穿到n型區(qū)導(dǎo)帶。齊納擊...
輸出類型：固定 最大輸入電壓：24V 輸出電流：100mA 輸出電壓（最小值/固定值）...輸出類型：固定 最大輸入電壓：24V 輸出電流：100mA 輸出電壓（最小值/固定值）：5V
一般的鋰電池保護板由控制IC、MOS管、電阻電容、保險絲FUSE等組成。其中控制IC...一般的鋰電池保護板由控制IC、MOS管、電阻電容、保險絲FUSE等組成。其中控制IC，在一切正常的情況下控制MOS開關(guān)導(dǎo)通，使電芯與外電路溝通，而當(dāng)電芯電壓或回路電流...
反向擊穿（Reverse Bias Breakdown）：當(dāng)在MOS管的柵極和源/漏極之間施加反向電...反向擊穿（Reverse Bias Breakdown）：當(dāng)在MOS管的柵極和源/漏極之間施加反向電壓時，電場強度可能足夠大，使氧化層內(nèi)的電子能夠穿越氧化層，形成導(dǎo)通通道，導(dǎo)致漏...
CMOS電平是在CMOS邏輯電路中用來表示邏輯狀態(tài)的一種電壓水平。CMOS電路利用NMO...CMOS電平是在CMOS邏輯電路中用來表示邏輯狀態(tài)的一種電壓水平。CMOS電路利用NMOS和PMOS這兩種互補類型的半導(dǎo)體材料來實現(xiàn)邏輯功能。1邏輯電平電壓接近于電源電壓，...
