150N03場效應管,30v150a mos管,KNB2803B代換-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2024-11-19
150N03場效應管代換型號KNB2803B漏源擊穿電壓30V，漏極電流150A，采用先進溝槽加工技術，極低的導通電阻RDS(on)為2.1mΩ，最大限度地減少導電損耗，最小化開關損耗；100%雪崩測試、無鉛，符合RoHS標準，節(jié)能環(huán)保；快速切換、改進的重復雪崩額定值，在鋰電池保護板應用中高效穩(wěn)定運行；封裝形式：TO-263。
漏源電壓：30V
漏極電流：150A
漏源通態(tài)電阻：2.1mΩ
柵源電壓：±20V
脈沖漏電流：600A
單脈沖雪崩能量：625MJ
功率耗散：160W
總柵極電荷：90nC
輸入電容：5060PF
輸出電容：500PF
開通延遲時間：33nS
關斷延遲時間：36nS
上升時間：60ns
下降時間：42ns
聯(lián)系方式：鄒先生
座機：0755-83888366-8022
手機：18123972950（微信同號）
QQ：2880195519
聯(lián)系地址：深圳市龍華區(qū)英泰科匯廣場2棟1902
搜索微信公眾號:“KIA半導體”或掃碼關注官方微信公眾號
關注官方微信公眾號：提供 MOS管 技術支持
免責聲明：網(wǎng)站部分圖文來源其它出處，如有侵權請聯(lián)系刪除。
