高頻開關(guān)電源mos管,2a650v,2n65場(chǎng)效應(yīng)管參數(shù)引腳圖-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2025-05-16
高效開關(guān)電源專用MOS管KIA2N65HD漏源擊穿電壓60V，漏極電流230A；采用先進(jìn)的平面條紋DMOS技術(shù)，低導(dǎo)通電阻RDS(開啟) 4.3Ω，低柵極電荷6.5nC，最小化導(dǎo)通電阻，提供卓越的開關(guān)性能；具有高輸入阻抗、低功耗、開關(guān)速度快；100%雪崩測(cè)試、改進(jìn)的dv/dt能力、在雪崩和換向模式下承受高能量脈沖，堅(jiān)固可靠；廣泛應(yīng)用于高效開關(guān)電源，基于半橋拓?fù)涞闹鲃?dòng)功率因數(shù)校正等，實(shí)現(xiàn)高效率的能量轉(zhuǎn)換；封裝形式：TO-252。
漏源電壓：650V
漏極電流：2A
柵源電壓：±30V
脈沖漏電流：7.5A
單脈沖雪崩能量：100MJ
功率耗散：42W
閾值電壓：2-4V
總柵極電荷：6.5nC
輸入電容：275PF
輸出電容：30PF
反向傳輸電容：2PF
開通延遲時(shí)間：10nS
關(guān)斷延遲時(shí)間：40nS
上升時(shí)間：30ns
下降時(shí)間：40ns
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