mosfet負溫度系數(shù)特性,正/負溫度系數(shù)-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2025-06-09
負溫度系數(shù)是指某些材料或元件的物理性質(zhì)隨溫度升高而降低的現(xiàn)象。
正,負溫度系數(shù)定義
正溫度系數(shù)：MOSFET的導(dǎo)通電阻Ron的大小會隨著管子溫度的增加而增大。
負溫度系數(shù)：MOSFET的導(dǎo)通電阻Ron的大小會隨著管子溫度的增加而減小。
如圖MOSFET的轉(zhuǎn)移特性所示，25℃和150℃兩條曲線有一個交點，此交點對應(yīng)著相應(yīng)的VGS與電流ID曲線有一個溫度系數(shù)為0的電壓值2.7V，通常這個點就稱為零溫度系數(shù)點ZTC（即溫度系數(shù)=0）。VGS高于2.7V時，溫度越高電流越小，功率MOSFET的RDS(ON)是正溫度系數(shù)；VGS低于2.7V時，溫度越高電流越大，功率MOSFET的RDS(ON)是負溫度系數(shù)。
MOSFET的負溫度系數(shù)特性主要體現(xiàn)在閾值電壓（Vgs(th))和導(dǎo)通電阻（Rds(on))上。
MOSFET的閾值電壓Vgs（th）的負溫度系數(shù)特性
MOSFET的閾值電壓Vgs（th)具有負溫度系數(shù)，這意味著隨著溫度的升高，閾值電壓會降低。這是因為溫度升高會導(dǎo)致半導(dǎo)體材料中的載流子濃度增加，使得溝道中的載流子更容易被柵極電場吸引，從而降低了閾值電壓的值。這種特性在高溫環(huán)境下有助于MOSFET更容易導(dǎo)通，但也可能導(dǎo)致電路的不穩(wěn)定，因此在設(shè)計時需要考慮溫度變化對閾值電壓的影響。
對于本征半導(dǎo)體（是指純凈的、沒有參雜任何雜質(zhì)的半導(dǎo)體材料），其載流子濃度ni隨溫度變化的表達式為：
其中，NC和Nv分別是導(dǎo)帶有效態(tài)密度和價帶有效態(tài)密度，Eg是禁帶寬度，k0是玻爾茲曼常數(shù)，T是絕對溫度。從該式可以看出，隨著溫度T的升高，指數(shù)項exp(-2k0TEg)的值會增大，從而導(dǎo)致本征載流子濃度ni迅速增加。
MOSFET的導(dǎo)通電阻Rds(on)的正溫度系數(shù)特性
與閾值電壓的負溫度系數(shù)不同，MOSFET的導(dǎo)通電阻Rds(on)通常具有正溫度系數(shù)，即隨著溫度的升高，導(dǎo)通電阻會增加。這種特性會導(dǎo)致在高溫下漏極電流減小，漏極功耗增加，漏一源極的壓降也會升高。這種正溫度系數(shù)特性有助于在高溫環(huán)境下保持相對穩(wěn)定的導(dǎo)通特性，但需要合理設(shè)計散熱和電路以應(yīng)對這種變化。
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