KCY3206B場(chǎng)效應(yīng)管漏源擊穿電壓60V，漏極電流100A，使用先進(jìn)的SGT MOSFET技術(shù)，...KCY3206B場(chǎng)效應(yīng)管漏源擊穿電壓60V，漏極電流100A，使用先進(jìn)的SGT MOSFET技術(shù)，高密度單元設(shè)計(jì)，實(shí)現(xiàn)?極低導(dǎo)通電阻RDS(on) 2.4mΩ，低柵極電荷，最大限度地減少導(dǎo)...
當(dāng)正向電壓超過某一數(shù)值后，二極管才有明顯的正向電流，該電壓值稱為導(dǎo)通電壓。...當(dāng)正向電壓超過某一數(shù)值后，二極管才有明顯的正向電流，該電壓值稱為導(dǎo)通電壓。在室溫下，硅管的V th約為0.5V，鍺管的V th約為0.1V。大于導(dǎo)通電壓的區(qū)域稱為導(dǎo)通區(qū)...
晶體管Q1與晶體、電容C1、C2、C3和電感L2一起形成高頻RF振蕩器，其頻率由晶體的...晶體管Q1與晶體、電容C1、C2、C3和電感L2一起形成高頻RF振蕩器，其頻率由晶體的第3個(gè)泛音值決定。由于使用了晶體，因此頻率穩(wěn)定無(wú)變化。 Q2晶體管與C8、L4也形成...
KCT1808A場(chǎng)效應(yīng)管漏源擊穿電壓1500V，漏極電流3A，使用先進(jìn)的SGT技術(shù)，極低導(dǎo)通...KCT1808A場(chǎng)效應(yīng)管漏源擊穿電壓1500V，漏極電流3A，使用先進(jìn)的SGT技術(shù)，極低導(dǎo)通電阻RDS(on) 1.25mΩ，優(yōu)秀的柵極電荷，最大限度地減少導(dǎo)電損耗，高效穩(wěn)定；適用于...
在電路中，使用了調(diào)諧集電極振蕩器（L1使用C1和C2）。調(diào)諧集電極振蕩器使用集電...在電路中，使用了調(diào)諧集電極振蕩器（L1使用C1和C2）。調(diào)諧集電極振蕩器使用集電極電路中的并聯(lián)L-C電路作為負(fù)載，該電路決定振蕩的頻率。調(diào)諧電路兩端產(chǎn)生的輸出電...
無(wú)線充電器通過在發(fā)送端和接收端各安置一個(gè)線圈，發(fā)送端線圈在電力的作用下向外...無(wú)線充電器通過在發(fā)送端和接收端各安置一個(gè)線圈，發(fā)送端線圈在電力的作用下向外界發(fā)出電磁信號(hào)，接收端線圈收到電磁信號(hào)并將其轉(zhuǎn)變?yōu)殡娏?，從而達(dá)到無(wú)線充電的目的...
