KNG3303C場效應(yīng)管漏源擊穿電壓30V，漏極電流90A，極低導(dǎo)通電阻RDS(開啟) 2.6mΩ...KNG3303C場效應(yīng)管漏源擊穿電壓30V，漏極電流90A，極低導(dǎo)通電阻RDS(開啟) 2.6mΩ，減少導(dǎo)通損耗、提高效率；低Crss、開關(guān)速度快，高效穩(wěn)定；100%經(jīng)雪崩測試、改進(jìn)的...
R4、C3、R5、R6、C4、D1、D2組成緩沖器，和開關(guān)MOS管并接，使開關(guān)管電壓應(yīng)力減...R4、C3、R5、R6、C4、D1、D2組成緩沖器，和開關(guān)MOS管并接，使開關(guān)管電壓應(yīng)力減少，EMI減少，不發(fā)生二次擊穿。在開關(guān)管Q1關(guān)斷時，變壓器的原邊線圈易產(chǎn)生尖峰電壓和...
在輸入控制回路中，電阻R1串接在IC1光電耦合器輸入端對其發(fā)光管進(jìn)行限流保護(hù)，...在輸入控制回路中，電阻R1串接在IC1光電耦合器輸入端對其發(fā)光管進(jìn)行限流保護(hù)，發(fā)光管LED對輸入控制信號給予指示，VD1對輸入端的反偏電壓進(jìn)行保護(hù)。當(dāng)控制端無信號...
KCP2915B場效應(yīng)管漏源擊穿電壓150V，漏極電流130A，采用先進(jìn)的SGT、溝槽MOS技術(shù)...KCP2915B場效應(yīng)管漏源擊穿電壓150V，漏極電流130A，采用先進(jìn)的SGT、溝槽MOS技術(shù)設(shè)計，高效率低損耗；極低導(dǎo)通電阻RDS(on) 7.3mΩ，低柵極電荷，可最大限度地減少導(dǎo)...
輸入信號處理：電機(jī)控制器接收來自外部的控制信號，如模擬信號、數(shù)字信號等。這...輸入信號處理：電機(jī)控制器接收來自外部的控制信號，如模擬信號、數(shù)字信號等。這些信號經(jīng)過處理后，用于控制電機(jī)的運(yùn)行狀態(tài)。 微處理器控制：微處理器是電機(jī)控制器...
MOSFET的閾值電壓Vgs（th)具有負(fù)溫度系數(shù)，這意味著隨著溫度的升高，閾值電壓會...MOSFET的閾值電壓Vgs（th)具有負(fù)溫度系數(shù)，這意味著隨著溫度的升高，閾值電壓會降低。這是因為溫度升高會導(dǎo)致半導(dǎo)體材料中的載流子濃度增加，使得溝道中的載流子更...
